Samsung 136 katmanlı 6. nesil 3D V-NAND yongalarını duyurdu

Teknoloji devi Samsung hafıza ürünlerinde rekabetçi ve yüksek performanslı ürünleriyle piyasada bilinen isimlerden. Firma 3D V-NAND’lerinin 6. neslini duyurdu.

HDD / SSD

Artan performans ve azalan güç tüketimi
Yorumlar

Metehan Göktaş

Yazar

Bildirimi Aç Bildirim Açık

Samsung 136 katmanlı 6. nesil 3D V-NAND yongalarını duyurdu

NAND Flash ve DRAM yongalarının performansının yanı sıra dayanıklılığıyla bilinen Samsung bugün 3D V-NAND çözümlerinin 6. neslini duyurdu. Yeni yongalar artan yoğunluğuyla yine sektörde çıta koyuyor.

6. nesil V-NAND’ini içeren 250 GB kapasiteli SATA SSD’sinin hacimli üretimine başlayan Samsung böylece yüksek performans ve verimliliğini korurken hacimli üretim döngüsünü 4 ay daha kısaltarak 13 aya düşürmüş oldu.

Güney Koreli firmanın yeni yongaları kanal delik aşındırma teknolojisini kullanılarak tasarlandığı için önceki nesil 9 katmanlı yapıya kıyasla 40 tane daha hücre barındırıyor. Bu da daha sonra 136 katmanlı iletken bir kalıp içerisinde birleştirilerek nihai sonuç elde ediliyor.

Artan performans ve azalan güç tüketimi

Lakin katman artışıyla doğru orantılı olarak artan yonga yüksekliği de bazı hataları ve gecikme süresi artışlarını da beraberinde getiriyor. Bunun önüne geçmek için hız odaklı bir devre geliştiren Samsung bu sayede okuma operasyonlarında gecikmeyi 45 mikrosaniyeye çekerken yazma işlemlerinde ise 450 mikrosaniyede tutunabilmiş. Rakamlara göz atacak olursak yeni yongaların selefine göre 510 daha fazla performans sunarken %15 daha az güç tükettiğini görmekteyiz.

Öyle ki Samsung’un yeni eklediği devre tasarımı sayesinde performans ve stabiliteden ödün vermeden yeni yongaların sadece üst üste konulmasıyla rahatlıkla 300’ün üzerinde katmana sahip NAND üretilebilecek.

Ayrıca üretim esnasında da işlemleri azaltacak tasarımlara giden yonga devi böylece hem modüllerin boyutunu küçültmüş hem de üretim verimliliğini de %20’den fazla arttırabilmiş. Son kullanıcılar ve sunucuların yanı sıra otomotiv sektöründe de kullanılması beklenen yeni yongaların yanı sıra Samsung’un 512 Gb kapasiteli 3D V-NAND TLC çözümlerini ve eUFS birimlerini yılın 2. yarısında tanıtması bekleniyor.