Anlık Bildirim

Samsung’a FinFET cezası

Yıllardır yonga üretiminde kullandığı verimlilik odaklı FinFET teknolojisi Samsung’un kabusu oldu. Güney Koreli bir üniversite izinsiz kullanım nedeniyle 400 milyon dolar tazminat kazandı.

Gün geçmiyor ki teknoloji devlerinin izinsiz patent kullanımı ile ilgili bir dava gündeme gelmesin. Bu kez Samsung popüler bir üretim teknolojisinin kullanımı konusunda tazminat cezasına çarptırıldı.

Samsung’un yıllardır döküm için kullandığı FinFET teknolojisini izinsiz olarak edindiği ve patent ihlali yaptığı iddiasıyla Güney Kore Bilim Enstitüsü tarafından açılan davada 400 milyon dolar tazminat cezasına hükmedildi.

FinFET nedir?

FinFET mimarisi, geleneksel iki boyutlu transistör tasarımını alarak, iletken kanalı yan kısma yerleştiriyor ve ortaya çıkan üç boyutlu fin yapısı, akımı kontrol eden bir geçit ile çevriliyor. 3 boyutlu FinFET teknolojisinin en önemli faydası önemli düşük güç seviyelerinin yakalanması olarak belirtiliyor.

Samsung savunmasında üniversite ile ortak olarak bu teknolojiyi geliştirdiğini ve patent ihlali gibi bir durumun söz konusu olmadığını ifade ediyor. Firma kararı üst mahkemeye taşıyacak.

Üniversite ise Samsung’un bir süre teknolojiyi göz ardı ettiği ancak Intel’in lisans alması sonrasında kullanma kararı aldığı ancak herhangi bir lisans anlaşmasına yanaşmadığını ifade ediyor.

Mahkeme Samsung’un bilerek patenti çiğnediğine hükmettiği için jürinin tazminatı üç katına kadar arttırma hakkı var. Yani jüri 1.2 milyar dolar civarında bir tazminat cezasına kadar çıkabilir. Önümüzdeki haftalarda bunun da kararı verilecek.

Üniversitenin Qualcomm ve GlobalFoundries aleyhine açtığı davalar da var ancak bu davalarda patentlerin çiğnendiğine karar verilmesine rağmen tazminat cezası çıkmamış.

 
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
DH Android Uygulamasını İndir DH iOS Uygulamasını İndir
Sorgu:

Editörün Seçtiği Sıcak Fırsatlar

Tavsiyelerimiz

Yeni Haber
şimdi
Geri Bildirim