Samsung’a FinFET davası

Gelecek yıl itibariyle 10nm FinFET teknolojisinde üretim yapmaya hazırlanan ve Qualcomm gibi önemli bir devi safında tutan Samsung’a kötü haber var. FinFET teknolojisinin kullanımı konusunda Samsung’a ihlal davası açılıyor.

FinFET 

FinFET mimarisi, geleneksel iki boyutlu transistör tasarımını alarak, iletken kanalı yan kısma yerleştiriyor ve ortaya çıkan üç boyutlu fin yapısı, akımı kontrol eden bir geçit ile çevriliyor. 3 boyutlu FinFET teknolojisinin en önemli faydası, sızıntıları azalttığı için önemli düşük güç seviyelerinin yakalanması olarak belirtiliyor.

FinFET teknolojisi ABD kaynaklı Güney Kore Gelişmiş Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (KAIST) araştırmacısı Lee Jong-Ho tarafından geliştirildi ve KAIST tarafından lisanslanıyor. KAIST FinFET teknolojisini kendisinin geliştirdiğini ancak Samsung’un herhangi bir lisanslama girişimi olmadan doğrudan kopyaladığını belirtiyor. Bunun için de patent ihlal davası açmaya hazırlanıyor.

Olayın gelişimi ise şöyle: Yıllar önce Samsung, FinFET çalışmalarına esas teşkil etmek üzere Lee Jong-Ho’yu davet ediyor ve çeşitli projeler geliştiriyor. Üretim sürecinin daha düşük maliyetli ve daha verimli olmasını sağlayan bu projeler ise araştırmacının fikirlerini temel alıyor.

Samsung daha sonra herhangi bir bilgi vermeden veya lisanslama girişiminde bulunmadan bu fikirleri üretim sürecinde kullanmaya başlıyor. En azından KAIST’ın iddiası bu yönde ve teknolojilerini sonuna kadar savunacağını ifade ediyor.

Intel de benzer bir çalışma içerisine girmiş ancak KAIST ile bir lisans ortaklığı yapmış. Bu bakımdan herhangi bir ihlal söz konusu değil. Elbette bu tür davalarda ilk hedef, bugüne kadar ihlal konusunun geliştiriciye olan zararının tazmin edilmesi oluyor. Genelde de uzlaşma masasında konu çözüldüğü için Samsung cephesindeki hamleler önem taşıyacak. Firma aksini iddia ederek uzlaşmaya yanaşmazsa süreç büyüyebilir. KAIST ayrıca Global Foundries, Qualcomm ve TSMC gibi firmaların da eğer lisans anlaşması yapmazsa aynı sebepten peşine düşmeye hazırlanıyor.