Snapdragon 820 yongaseti 14nm fabrikasyon sürecine tabi

Yorumlar

Ekrem71

Teknoloji Editörü

Snapdragon 820 yongaseti 14nm fabrikasyon sürecine tabi

Qualcomm'un gelecek yıl itibariyle mobil dünyada fırtınalar estirmesini beklediğimiz Snapdragon 820 yongaseti ile ilgili en merak edilen detay üretim süreciydi. Pek çok iddianın ardından Qualcomm bugün yaptığı açıklamada kafalardaki soru işaretlerini de giderdi.

Snapdragon 820 yongasetinin aşırı ısınma iddialarına yönelik yapılan açıklamada iddiaların gerçeği yansıtmadığı ve yongasetinin tüm tasarım standartlarına uyum gösterdiği belirtildi. Herhangi bir aşırı ısınma probleminin yaşanmadığı yongaseti 14nm süreci ile üretilecek.

Üretim süreci konusundaki perdelerin kalkması dökümü kimin yapacağı sorusunu da netleştirdi. Döküm sektörünün lideri TSMC, 16nm FinFET üretimi yaptığı için devre dışı kalıyor. Kalan tek ihtimal ise Samsung zira firma Exynos 7420 yongasetini de 14nm FinFET süreci ile üretiyor ve sık sık Qualcomm-Samsung ortaklığı iddiaları gündeme geliyordu. 14nm süreci ile üretime başlayacak diğer firma olan GlobalFoundries ise AMD'nin Zen tabanlı APU'larına odaklanıyor.

FinFET mimarisi, geleneksel iki boyutlu transistör tasarımını alarak, iletken kanalı yan kısma yerleştiriyor ve ortaya çıkan üç boyutlu yüzgeç yapısı, akımı kontrol eden bir geçit ile çevriliyor. 3 boyutlu FinFET teknolojisinin en önemli faydası düşük güç seviyelerinin yakalanması oluyor.

Üretim süreci ile ilgili diğer bir detay ise LPP - Low Power Plus teknolojisi ile yapılacak olması. LPE ve LPP, Samsung'un üretim teknolojileri arasında yer alıyor. Firmanın geliştirdiği 14nm LPE [low-power enhanced] teknolojisi ile düşük enerji tüketimi ile yüksek performans değerlerine ulaşabiliyordu.

14nm LPP [low-power plus] üretim teknolojisi ise daha kompleks yongasetlerine imkan tanıyor, saat hızlarında yüzde 10 artış ve daha fazla enerji tasarrufu sağlıyor. Her iki teknoloji benzer tasarım kurallarını paylaşıyor olsa da kullanılan kütüphane ve derleyiciler farklılaşıyor. 14nm FinFET LPP süreci ile Snapdragon 810 yongasetine göre yüzde 30-40 daha fazla performans ve yüzde 40 civarında enerji tasarrufu elde edileceği tahmin ediliyor. Özellikle 60 kare/saniye oranında 4K videoların daha akıcı bir şekilde işleneceği belirtiliyor.

Bununla birlikte Snapdragon 820 yongaseti ile ilgili aşırı ısınma iddiaları sona ermiş değil. Galaxy S7 amiral gemi modelinde Snapdragon 820 yongasetine dönüş yapmasına kesin gözüyle bakılan Samsung'un aşırı ısınma sorunları nedeniyle çeşitli yazılım optimizasyonları üzerinde çalıştığı ve gerekirse Sony Xperia Z5 serisinden hatırladığımız ısı boruları ile soğutma şeklinde bir yönteme de başvuracağı ifade ediliyor. Yani aşırı ısınma konusu bir süre daha gündemde kalmaya devam edecek gibi görünüyor.