Güney Kore merkezli teknoloji devi Samsung, 3nm işlem teknolojisine beklenenden daha erken geçiş yapabilir. Yeni üretim teknolojisi konusunda uzun bir süredir çalışmalarını sürdüren şirket, Yonhap News tarafından bildirilenlere göre önümüzdeki hafta üretime başlamayı planlıyor.
TSMC'nin önüne geçebilir
Yeni işlem teknolojisi ile beraber halihazırda kullanılan 5nm yongalara kıyasla yüzde 35 alan tasarrufu, yüzde 30 daha yüksek performans ve yüzde 50 enerji verimliliği sunmayı hedefleyen Samsung, günümüzde kullanılan FinFET tasarımından transistörlerin akım taşıma yeteneklerine zarar verilmeden küçültmesine olanak tanıyan GAAFET tasarımına geçiş yapacak.
Yeni işlem teknolojisi her ne kadar iddialı geliyor olsa da geçtiğimiz yılın Ekim ayında Samsung, 3nm verimliliğinin 4nm süreci ile benzer bir seviyede olduğunu söylemişti. Bununla birlikte şirketin 4nm teknolojisi ile üretilen Snapdragon 8 Gen 1'de yaşanan verimlilik sorunları da düşünüldüğünde, yeni düğümün beklenen gelişimi göstermesi zaman alabilir.
Haberi DH'de Gör
{{body}}
{{/longBody}} {{^longBody}}{{body}}
{{/longBody}}