Samsung, rakibinin 1 yıl önünde
Kore kaynaklı haberlere göre Samsung, 300’den daha fazla katmana sahip NAND Flash yarışında SK Hynix'i geçmeye hazırlanıyor gibi görünüyor. Belirtilenlere göre Samsung, 300+ katmanlı V-NAND (3D NAND) üretimine 2024 yılında geçecek. Dolayısıyla teknoloji devi rakibinin neredeyse 1 yıl kadar önüne geçmiş olacak. Halihazırda ise Samsung, 236 katmanlı NAND bellekler üretiyor. Firmanın bu ürünü Micron ve YMTC'den dört adet daha fazla katman sunuyor fakat SK Hynix'ten iki katman daha az yığına sahip.
Modern 3D NAND bellekler, dikey bir elektrik bağlantısı olan Through Silicon Vias’a (TSV) dayandığından geçmişe kıyasla daha yoğun bellek yığınları üretmek daha kolay ancak yine de Samsung’un almış olduğu risk büyük. Bununla birlikte, mevcut düşük talep ve üretimde daha fazla kesinti haberleri göz önüne alındığında, Samsung'un bu yeni, daha yoğun istiflenmiş NAND'ı test etmek için fabrikalarını kullanması mantıklı görünüyor. Samsung'un yol haritası 2030'a kadar 1000'den fazla katmanlı bir V-NAND ürünü gerektiriyor, ancak bu yol hala uzun ve karmaşık gibi görünüyor.
Haberi DH'de Gör
{{body}}
{{/longBody}} {{^longBody}}{{body}}
{{/longBody}}