SK Hynix, HBM3E 12Hi için seri üretime geçiyor
SK Hynix’in AI Infra bölümünün başkanı ve yöneticisi Justin Kim, Taipei'de düzenlenen Semicon Taiwan endüstri forumunda firmanın yeni 12 katmanlı HBM3E yongalarının Eylül sonuna kadar seri üretime gireceğini açıkladı. SK Hynix, geçtiğimiz aylarda HBM yongalarının bir sonraki versiyonları olan 12 katmanlı HBM3E'yi dördüncü çeyrekten itibaren, HBM4'ü ise 2025'in ikinci yarısından itibaren piyasaya sürmeyi planladığını açıklamıştı.
Yüksek bant genişlikli bellek (HBM), ilk olarak 2013 yılında üretilen, yerden tasarruf etmek ve güç tüketimini azaltmak için çiplerin dikey olarak istiflendiği bir tür DRAM standardı konumunda. Yüksek bant genişliği, yüksek kapasite ve enerji verimlilikleri nedeniyle yapay zeka veri merkezlerinde, dolayısıyla Nvidia ve AMD’nin AI hızlandırıcılarında kullanılıyorlar.
HBM belleklere olan talep o kadar büyük ki SK Hynix’in HBM üretim kapasitesinin bu yıl için tamamen tükendiği ve 2025 yılı için de neredeyse dolduğu bizzat şirketin CEO’su Kwak Noh-Jung tarafından açıklanmıştı. Bu arada HBM bellekleri üreten sadece üç üretici bulunuyor: SK Hynix, Micron ve Samsung. Micron, kısa bir süre önce yaptığı açıklamada 12 katmanlı HBM3E belleklerini müşterilerine örneklemeye başladığını ve üretime hazır olduğunu duyurdu.
Haberi DH'de Gör