Eskişehir Teknik Üniversitesi Fen Fakültesi akademisyenleri, daha önce silisyum alttaş üzerine ürettikleri, uydu ve uzay araçlarına enerji sağlayan esnek ince güneş hücrelerinin verimliliğini artıracak proje geliştirdi.
Öğretim üyeleri Prof. Dr. Uğur Serincan, Doç. Dr. Mustafa Kulakcı ve Dr. Öğr. Üyesi Burcu Arpapay'ın, ESTÜ Nanoboyut Araştırma Laboratuvarında silisyum taban malzeme üzerine daha önce galyum arsenik kaplayıp ürettiği esnek ince film güneş hücresi, bu yıl Türk Patent ve Marka Kurumu tarafından (TÜRKPATENT) tescillendi.
Akademisyenler Serincan, Kulakcı ve Arpapay ile ekibi, ürettikleri güneş hücresinin verimliliğini artırıcı yeni bir katman üzerine yaptıkları çalışmaları da tamamladı.
TÜBİTAK 1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı kapsamında, uydu ve uzay alanındaki milli yatırımlara katkı sunması hedeflenen projede daha önce galyum arsenikle üretilen esnek ince film güneş hücresini galyum indiyum fosfat (GaInP) ile kaplayıp verimliğini yüzde 25'lere çıkardı.
Üniversitenin İleri Teknolojiler Uygulama ve Araştırma Merkezi Müdürü de olan Prof. Dr. Serincan, uydu ve uzay uygulamaları için yüksek verimli güneş hücrelerinin önemine değinerek, geliştirdikleri esnek ince güneş hücresinin ülke için önemli bir kazanç olduğunu söyledi.
Silisyum taban kullanılarak ürettikleri GaAs tabanlı güneş hücrelerinin devamı niteliğinde olan verimliliği artırıcı yeni bir katman üzerine yaptıkları çalışmaları tamamladıklarını anlatan Serincan, konuyla alakalı: “Çalışmayı TÜBİTAK 1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı kapsamında yaptık ve sonuçlandırdık. Uydu ve uzay uygulamalarında hafiflik ve verimlilik çok önemli. Bunun dışında çalıştığınız ürün radyasyona da maruz kaldığında zarar görmemelidir. Bu anlamda, GaAs esnek güneş hücreleri ön plana çıkıyor. Muadillerine göre daha ucuz şekilde silisyum alttaş üzerinden GaAs tabanlı esnek güneş hücresi geliştirip, bunun patentini aldık. Tamamen yerli olarak geliştirdiğimiz esnek ince güneş hücresindeki verimliliği artırmak üzere ikinci bir katman olarak GaInP üzerine çalışmalarımızı tamamladık. Böylece güneş hücresinin verimliliğini artırmanın önünü açmış olduk. GaAs tabanlı güneş hücresine ek olarak GaInP katmanı ekleyeceğiz. Her ikisini bir araya getirdiğimizde güneş ışığının soğurulması artacak ve hücreden elde edilen verimliliği yukarıya taşıyacağız. Şimdilik yüzde 25 verimlilik oranına ulaşmayı öngörüyoruz.” şeklinde açıklama yaptı.
Haberi DH'de Gör