Samsung, bellek alanında dünya lideri olmaya devam edecek

Samsung, rakibinin 1 yıl önünde
Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

Samsung, bellek alanında dünya lideri olmaya devam edecek — Yarı iletkenler alanındaki rekabet duracak gibi görünmüyor. Bu ayın başlarında **SK Hynix**, dünyanın ilk **321 katmanlı NAND** flash belleğini duyurmuştu. Ciddi iyileştirmeler içeren bu yeni NAND flaş belleğin **2025** yılında seri üretime geçmesi planlanıyordu. Şimdi en azından Güney Kore'den gelen haberlere göre **Samsung**, benzer bir belleğin üretimine **çok daha erken** başlayacak gibi görünüyor.

Samsung, rakibinin 1 yıl önünde

Kore kaynaklı haberlere göre Samsung, 300’den daha fazla katmana sahip NAND Flash yarışında SK Hynix'i geçmeye hazırlanıyor gibi görünüyor. Belirtilenlere göre Samsung, 300+ katmanlı V-NAND (3D NAND) üretimine 2024 yılında geçecek. Dolayısıyla teknoloji devi rakibinin neredeyse 1 yıl kadar önüne geçmiş olacak. Halihazırda ise Samsung, 236 katmanlı NAND bellekler üretiyor. Firmanın bu ürünü Micron ve YMTC'den dört adet daha fazla katman sunuyor fakat SK Hynix'ten iki katman daha az yığına sahip.

Modern 3D NAND bellekler, dikey bir elektrik bağlantısı olan Through Silicon Vias’a (TSV) dayandığından geçmişe kıyasla daha yoğun bellek yığınları üretmek daha kolay ancak yine de Samsung’un almış olduğu risk büyük. Bununla birlikte, mevcut düşük talep ve üretimde daha fazla kesinti haberleri göz önüne alındığında, Samsung'un bu yeni, daha yoğun istiflenmiş NAND'ı test etmek için fabrikalarını kullanması mantıklı görünüyor. Samsung'un yol haritası 2030'a kadar 1000'den fazla katmanlı bir V-NAND ürünü gerektiriyor, ancak bu yol hala uzun ve karmaşık gibi görünüyor.