İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Bilmeyenler için yarı iletken üretiminde aşındırma (etching), belirli katmanlardan istenmeyen malzemeleri kontrollü bir şekilde kaldırarak devre desenlerini oluşturma işlemidir. Bu işlem, fotolitografi ile belirlenen alanlar dışındaki malzemeyi seçici olarak aşındırarak mikroçiplerin hassas yapısını oluşturuyor. Aşındırma, genellikle ıslak (kimyasal çözeltilerle) veya kuru (plazma bazlı) yöntemlerle gerçekleştiriliyor. Kuru aşındırma, özellikle yüksek hassasiyet ve dikey profiller gerektiren modern yarı iletken üretiminde yaygın olarak tercih edilmekte.
Daha küçük alanlara daha fazla depolama
USB belleklerden akıllı telefonlara kadar birçok cihazda kullanılan NAND flash bellekler, veri depolama kapasitesini artırmak için 3D NAND adı verilen dikey yığınlama yöntemine geçiş yaptı. Günümüzde Micron, SK Hynix ve Samsung gibi devler 400 katmanlı bellek çipleri üzerinde çalışırken, artan katman sayısı üretim sürecini daha karmaşık hale getiriyor.
Yeni yöntemin ticari üretime ne zaman entegre edilebileceği belirsizliğini koruyor. Princeton Plazma Fiziği Laboratuvarı’ndan Igor Kaganovich, yapay zeka ve büyük veri çağında daha yoğun bellek teknolojilerine duyulan ihtiyacın arttığını vurgularken, bu yöntemin önemli bir üretim engelini aşabileceğini belirtiyor. Bunun tüketiciler için daha ucuz veya daha yoğun NAND yongaları ile sonuçlanıp sonuçlanmayacağını söylemek için henüz çok erken. Tekniğin ticari olarak uygulanabilirliğinin kanıtlanması ve seri üretim için ölçeklendirilmesi gerekiyor.
Kaynakça https://www.techspot.com/news/106763-breakthrough-3d-nand-flash-etching-technique-could-turbocharge.html https://resources.pcb.cadence.com/blog/2024-wet-etching-vs-dry-etching Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
sağ köşede download tıkladım oynuyor şimdi.
Bu dosya oynatılamıyor diyor, videoya tıklayınca!