Samsung 2. nesil 10 nm DRAM yongalarının üretimine başladı

3600 Mbps bant genişliği
Yorumlar

Metehan Göktaş

Yazar

Hafıza ürünleri pazarında liderliği elinde tutan Samsung’un son yaptığı duyuruda yeni nesil

Samsung 2. nesil 10 nm DRAM yongalarının üretimine başladı

DRAM modüllerine yer verildi. Anlaşılan o ki Güney Koreli firma pazardaki hakimiyetini güçlendirerek sürdürmek istiyor.

3600 Mbps bant genişliği

Kağıt üstündeki verilere göre 10 nm üretim sürecinden geçen ilk nesil 8 Gb DDR4 DRAM yongalarının 3200 Mbps’lik bant genişliğini 3600 Mbps seviyesine çekecek olan çözümler, yine firmanın ilk nesil çözümlerine kıyasla %30 daha verimli bir üretim sürecinden geçerek satışa sunulacak.

Bununla birlikte bir önceki nesle kıyasla %10 daha yüksek performans ve %15 daha enerji verimli bir yapı sunan bellekler sayesinde daha uzun batarya ömrünün yanı sıra daha yüksek performansa sahip cihazların önü açılacak.

Samsung 8 Gb kapasiteli yeni DDR4 modülleriyle birlikte diğer hafıza çözümlerine de değinmeyi ihmal etmemiş. Yapılan açıklamaya göre firma kurumsal sunucular, mobil cihazlar, süper bilgisayarlar, HPC sistemleri ve yüksek performanslı ekran kartlarında yer alması beklenen DDR5, HBM3, LPDDR5’ye ek olarak GDDR6 tipi bellek çözümlerinin pazara daha erken sunulması için çalışmalarını sürdürmekte. Son olarak teknoloji devinin pazardaki artan talebi karşılamak için 2. nesil yongalarının yanında ilk nesil belleklerinin de üretim hacmini arttıracağını belirtelim.