Uygulama ile Aç

Grafen tabanlı bellekle akılalmaz hız rekoru: Devrime göz kırpıldı

Fudan Üniversitesi, grafen tabanlı "PoX" flash belleğiyle veri yazma hızında dünya rekoru kırdı. Yeni bellek sadece 400 pikosaniyede işlem yapabiliyor ve AI dünyasında devrim yaratabilir.

Çin’in önde gelen üniversitelerinden Fudan Üniversitesi’nden bilim insanları, yarı iletken dünyasında çığır açacak bir başarıya imza attı. "PoX" adı verilen grafen tabanlı yeni nesil flash bellek cihazı, veriyi sadece 400 pikosaniyede yazabiliyor. Bu süre, dört yüz trilyonda bir saniyeye karşılık geliyor ve bugüne kadar kaydedilen en hızlı yarı iletken veri yazma süresi olarak kayıtlara geçti.

Bu olağanüstü hızın anlamı, PoX’un saniyede 25 milyar işlem gerçekleştirebilmesi demek. Karşılaştırmak gerekirse, bu değer bugüne kadar geliştirilen benzer teknolojilere kıyasla yaklaşık 10 bin kat daha hızlı.

Devrim niteliğinde gelişme

Gelişen yapay zeka sistemleri, her geçen gün daha fazla veri işliyor ve bu nedenle yalnızca işlemcilerin değil, bellek sistemlerinin de olağanüstü hızlara ulaşması gerekiyor. Ancak günümüz teknolojilerinde ciddi bir ikilem mevcut: Statik RAM (SRAM) ve dinamik RAM (DRAM) gibi uç hızlara sahip geçici (volatile) bellekler, enerjisi kesildiğinde tüm veriyi kaybediyor. Flash gibi kalıcı depolama çözümleri ise veriyi enerji olmadan da saklayabiliyor fakat erişim hızları mikro saniyeler ile mili saniyeler arasında kalıyor.

Bilim insanları bu açığı kapatmak üzere flash bellek yapısını baştan tanımlayan bir yaklaşım geliştirdi. Klasik silisyum yerine, olağanüstü elektriksel özellikleriyle tanınan grafeni tercih ettiler ve bu malzemede Dirac yapısını kullandılar. (Grafende, elektronlar olağan dışı bir şekilde hareket eder. Bu malzemenin enerji bant yapısı, klasik yarı iletkenlerden çok farklıdır. Özellikle, iletkenlik ve valans (doluluk) bantları bir noktada – "Dirac noktası" denilen yerde – birbirine dokunur. Bu noktada elektronlar, sanki hiç kütleleri yokmuş gibi, ışık hızının yaklaşık 300 kat yavaşında ama yine de aşırı hızlı bir şekilde hareket ederler.)

Ayrıca bkz.

Intel’in 18A üretim süreci, Intel 3’e fark atıyor

Ekip, grafenin balistik taşıma özelliğinden yararlanarak bellek kanalının "Gauss uzunluğunu" hassas bir şekilde ayarladı. Bu sayede "süper-enjeksiyon" adını verdikleri yeni bir mekanizma geliştirdiler. Bu yapı, yüklerin veri katmanına neredeyse engelsiz bir şekilde aktarılmasını sağlıyor ve geleneksel kalıcı belleklerdeki hız sınırlamalarını ortadan kaldırıyor.

Mevcut donanımların en büyük darboğazlarından biri, işlemcilerin hızına belleklerin ayak uyduramaması. PoX, bu sorunu ortadan kaldırmakla kalmıyor; aynı zamanda düşük enerji tüketimiyle veri hareketinin yol açtığı enerji israfını da minimize ediyor.



Haberi DH'de Gör Yorumlar ve Diğer Detaylar
Whatsapp ile Paylaş

Beğenilen Yorumlar

Tümünü Gör
8 Yorumun Tamamını Gör