Intel ve TSMC, yeni nesil CFET transistörlerde ilerliyor
Yeni nesil silikon tabanlı cihazlara güç sağlamak için yaklaşan tamamlayıcı FET (CFET) teknolojisi şekilleniyor. Intel ve TSMC, CFET transistörler hakkındaki ilerlemeleri yakında açıklayacak.
Son gelen bilgilere göre Intel ve TSMC, yaklaşan Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı (IEDM) konferansında dikey olarak istiflenmiş tamamlayıcı alan etkili transistörler (CFET) konusundaki ilerlemeleri paylaşacak. Bu teknoloji henüz emekleme aşamasında olsa da önümüzdeki on yıl içinde GAA (Gate-All-Around) çözümünün yerini alması bekleniyor.
CFET transistörlerde gelişim sürüyor
İlk olarak 2018 yılında orta çıkan CFET kavramı, n ve p tipi transistörlerin birbiri üzerine yerleştirilmesini içeriyor. Bağlam içerisinde: N ve P tipi transistörler, yarıiletken cihazlar arasında elektrik sinyallerini kontrol etmek veya amplifikasyon yapmak için kullanılan temel bileşenlerdir. CFET’ler için ilk adımlar akademik çevreler tarafından atılmış olsa da bir süredir Intel ve TSMC gibi şirketler bu alanda aktif çalışmalar yürüyor.
Intel, PowerVia arka taraf güç dağıtımını içeren dikey bir yapı kullanarak monolitik 3D CFET inşa etmiş durumda. Bu yeni teknoloji, 60nm kapı aralığına sahip işlevsel invertör test devrelerini içeriyor. TSMC ise 48nm kapı aralığına sahip uygulamalı CFET yöntemini tartışıyor. Bu tasarım, n-tipi nanosheet transistörlerini p-tipi muadillerinin üzerine yerleştirerek önemli bir performans artışı sağlıyor. TSMC'nin transistörlerinin dayanıklılıklarını kanıtladığı ve yüzde 90'dan fazlasının testlerde geçtiği belirtiliyor.
Yeni nesil transistör
CFET'ler transistör tasarımında kayda değer bir değişim yaratarak dikey istifleme sayesinde iki transistörün bir transistörün kapladığı alana sığmasını sağlayarak çip üzerindeki transistör yoğunluğunu artırmayı hedefliyor. Bu tasarım sadece gelişmiş alan verimliliğinin önünü açmakla kalmıyor, aynı zamanda daha modern bir CMOS mantık devresi düzenini destekleyerek gelişmiş tasarım verimliliğini kolaylaştırıyor.
Ek olarak, CFET'lerin doğal yapısı parazitik etkilerin azalmasına yol açarak performans ve güç verimliliğinde potansiyel artışlar sunabilir. Uyarlanabilir tasarım yetenekleri, arka taraf güç dağıtımı gibi yeniliklerle birleştiğinde, üretim sürecini daha da kolaylaştırarak CFET'leri transistör teknolojisi alanında umut verici bir gelişme haline getirebilir. Hem Intel hem de TSMC'nin çabaları CFET teknolojisinin yarı iletken endüstrisindeki önemi ortaya koyuyor.