Belirtilenlere göre Samsung Foundry, geliştirilmiş 3nm ve 4nm çip üretim süreçlerini Haziran ayında VLSI Symposium 2023'te tanıtacak. Etkinlik 11-16 Haziran 2023 tarihleri arasında Japonya'nın Kyoto kentinde gerçekleştirilecek. Çip endüstrisi etkinliği sırasında Güney Koreli çip üreticisi ikinci nesil 3nm ve dördüncü nesil 4nm süreçlerini detaylandıracak.
Samsung yeni nesil 3nm ve 4nm süreçlerine geçiyor
Samsung Foundry'nin SF3 çip üretim süreci 3nm GAP teknolojisini kullanacak. Yeni süreç, Samsung'un MBCFET (Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistors) adını verdiği geliştirilmiş GAA (Gate All Around) transistörüne dayanıyor. SF4 (4nm EUV LPP) ile karşılaştırıldığında, SF3'ün aynı güçte yüzde 22 daha hızlı veya aynı saat hızlarında ve transistör sayısında yüzde 34 daha fazla verimli olduğu söyleniyor. Ayrıca zar alanı bakımından da yüzde 21 daha küçük bir alan sunuluyor. Bu arada yıllardır, GAA sürecinin birincil avantajlarından birinin aynı hücre tiplerinde değişen nanosheet kanal genişlikleri olduğu söyleniyordu. Samsung Foundry ise SF3 sürecinin bunu destekleyeceğini söylüyor. Dolayısıyla buradan SF3E'nin (birinci nesil 3nm süreci) bunu tam olarak desteklemediği çıkarımı yapılabilir.
Exynos 2500 ve Snapdragon 8 Gen 4 için kullanılabilir
Bu arada Güney Koreli firmanın sunucu CPU'ları ve GPU'lar gibi yüksek performanslı bilgi işlem uygulamaları için kullanılmak üzere tasarlanan dördüncü nesil 4nm süreci, SF4'e (ikinci nesil 4nm) kıyasla yüzde 10 performans artışı ve yüzde 23 iyileştirilmiş güç verimliliği sunuyor. Bu yeni süreç, TSMC'nin sırasıyla 2024 ve 2025 yıllarında kullanıma sunulacak olan N4P (ikinci nesil 4nm) ve N4X (üçüncü nesil 4nm) düğümleriyle rekabet edecek.
Haberi DH'de Gör
{{body}}
{{/longBody}} {{^longBody}}{{body}}
{{/longBody}}