IBM’in yeni transistörü yeni bir çip sınıfını ortaya çıkarabilir

IBM'den ilgi çekici başarı
Çiplerde küçülme sağlayabilir
Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

IBM’in yeni transistörü yeni bir çip sınıfını ortaya çıkarabilir — **IBM**'in konsept **nanosheet transistörü**, nitrojenin kaynama noktasında neredeyse iki kat performans artışı gösterdi. Bu başarının çeşitli teknolojik ilerlemelerle sonuçlanması ve nanosheet transistörlerin **FinFET**'lerin yerini almasının önünü açması bekleniyor. Daha da heyecan verici olanı, bunun daha güçlü bir çip sınıfının geliştirilmesine yol açabilecek olması.

IBM'den ilgi çekici başarı

Sıvı nitrojen, yarı iletken üretim sürecinde ısıyı uzaklaştırmak ve kritik süreç alanlarında inert ortamlar oluşturmak için yaygın olarak kullanılıyor. Ancak -196 °C olan kaynama noktasına getirildiğinde, mevcut nanosheet transistör nesli bu tür sıcaklıklara dayanacak şekilde tasarlanmadığı için artık bazı uygulamalarda kullanılamaz oluyorlar. Bu sınırlama talihsiz bir durum çünkü çiplerin böyle bir ortamda performanslarını artırabilecekleri düşünülüyordu. Ancak IBM’in sergilediği konsept nanosheet transistör ile bu olasılık artık gerçekleşebilir.

IBM'in konsept nanosheet transistörü, FinFET'lerin nanosheet transistörlerle değiştirilmesi beklentisinde de bir rol oynayabilir. Genel olarak nanosheet transistörlerin FinFET'lere göre avantajları arasında küçültülmüş boyut, azaltılmış değişkenlik ve gate-all-around yapı tasarımı bulunuyor.

Çiplerde küçülme sağlayabilir

IBM'de kıdemli bir araştırmacı olan Ruqiang Bao'ya göre, nanosheet cihaz mimarisi IBM'in kabaca bir tırnak büyüklüğündeki bir alana 50 milyar transistör sığdırmasına olanak tanıyor. IEEE tarafından da vurgulandığı gibi, nanosheet teknolojisi yarı iletken ürünlerinin ölçeklendirilmesinde önemli bir rol oynayabilir.