İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Samsung 3D DRAM teknolojisini tanıttı
Samsung, Memcon 2024 kapsamında iki yeni 3D DRAM teknolojsini sergiledi; Dikey Kanal Transistörleri ve İstiflenmiş DRAM. Bu gelişmelerden ilki, transistör tasarımında temel bir değişiklik sağlayarak alanı azaltmayı hedefliyor. Bu aşamada mevcut akış kanalı yataydan dikeye çevrilerek transistörün kapladığı alan önemli ölçüde azaltılacak. Ancak bu tekniğin baskı aşamasında çok daha fazla hassasiyet gerektireceğini hatırlatalım.
Stacked veya İstiflenmiş DRAM ise, yatay düzlemi kullanan geleneksel 2D DRAM'den farklı olarak tek bir çip üzerinde birden fazla dikey bellek hücresine olanak tanıyacak. Bu yenilikçi yaklaşım, tek çip kapasitesini 100 GB'ın üzerine çıkarma potansiyeline sahip; bu, mevcut sınırlamalarla karşılaştırıldığında önemli bir sıçrama
Böylelikle hem kapasite hem de ölçeklenebilirlilik alanında atılım bekleniyor.
Samsung'un çabaları gelecekte daha güçlü ve kompakt elektronik cihazların geliştirilmesine yol açabilir. Ancak Koreli devin bu alanda tek olmadığını hatırlatalım.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Bana çok korkutucu geliyor bunlar.