Samsung, GDDR6W ile bant genişliğini ve yoğunluğunu ikiye katladı

Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

samsung gddr6w — Yüksek performanslı, yüksek kapasiteli ve yüksek bant genişliğine sahip bellek çözümleri, sanal dünyayı gerçeklikle daha yakın bir hale getirme noktasında kritik öneme sahip. Metaverse gibi sanal dünyalar grafik temelli ürünlerde kullanılan bellek çözümlerine son derece hassas yapıdalar. Bu artan pazar talebini karşılamak için **Samsung Electronics**, endüstrinin ilk yeni nesil grafik **DRAM** teknolojisi olan **GDDR6W**'yi (x64) geliştirdiğini duyurdu.

GDDR6W bellekler, Samsung'un standart GDDR6 (x32) ürünlerine nazaran Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisini kullanarak hem bant genişliğini hem de kapasiteyi önemli ölçüde artıyor.

Hatırlayacağınız üzere geçtiğimiz Temmuz ayında Samsung, endüstrinin en hızlı grafik DRAM'i olan 24 Gb/sn GDDR6 bellekleri geliştirdiğini duyurmuştu. GDDR6W ise, GDDR6 ile aynı boyutta kalırken bu bant genişliğini (performansı) ve kapasiteyi iki katına çıkartıyor. Üretim süresini ve maliyetlerini azaltan FOWLP yapı ve istifleme teknolojisi sayesinde üretim süreçlerinde de bir ek maliyet getirilmiyor.

Aşağıdaki resimde gösterildiği gibi, aynı boyuttaki bir pakette iki kat daha fazla bellek yongası ile donatılabildiği için, grafik DRAM kapasitesi 16Gb'den 32Gb'ye çıkıyor. Aynı şekilde bant genişliği ve G/Ç sayısı ikiye katlanarak 32'den 64'e çıkmış durumda. Yani bellek için gereken alan önceki modellere göre %50 oranında azaltılmış.

Samsung, GDDR6W ile bant genişliğini ve yoğunluğunu ikiye katladı — Genel olarak baktığımızda paket boyutu aynı ancak istif yani katman sayısı artıkça bazı fedakarlıklarda bulunmak gerekiyor. Normal şartlarda katman sayısı arttığında ısı dağılımı ve performansta bir alışveriş söz konusu olur. Ancak Samsung, bu sorunu aşmak için başarılı bir mühendislik uygulaması kullanmış.

Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisi sayesinde Samsung, bellek kalıbını PCB yerine doğrudan bir silikon levha üzerine monte ediyor. Bunu yaparken, çok daha ince bağlantı modelleri sağlayan RDL (Re-distribution layer) teknolojisi kullanılıyor. Dolayısıyla PCB ortadan kalktığında toplam paket kalınlığı ve ısı dağılımı büyük oranda iyileşiyor.

FOWLP tabanlı GDDR6W'nin yüksekliği, GDDR6 1.1mm iken sadece 0,7 mm seviyesinde yani yüzde 36 daha ince. Çip çok katmanlı olmasına rağmen mevcut GDDR6 ile aynı termal özellikleri ve performansı sunuyor. Ancak GDDR6'dan farklı olarak, FOWLP tabanlı GDDR6W'nin bant genişliği, tek paket başına genişletilmiş G/Ç sayesinde iki katına çıkıyor.

gddr6w vs hbm2e — Samsung, **GDDR6W** ile **HBM2E** bellekleri kıyaslıyor. HBM2E, 4K’da **1,6 TB/s** bant genişliğine ve pin başına 3,2 Gbps iletim hızına sahip. Öte yandan GDDR6W ise **1,4 TB/s** bant genişliği ve pin başına 22Gpbs iletim hızı vadediyor. Üstelik GDDR6W bu değerleri, HBM2E’nin 4096 G/Ç sayısının sekizde birine sahipken yani 512 G/Ç sayısıyla gerçekleştiriyor. Dolayısıyla maliyet noktasında GDDR6W bellekler HBM2E’ye oranla daha avantajlı konumda.

Samsung Electronics bu yılın ikinci çeyreğinde GDDR6W bellekleri için gerekli olan JEDEC standardizasyonunu tamamlamıştı. Samsung ayrıca, GDDR6W belleklerini GPU ortaklarıyla iş birliği yaparak dizüstü bilgisayarlar gibi küçük form faktörlü cihazlarda ve yapay zeka, HPC uygulamaları için kullanılan yüksek performanslı hızlandırıcılarda kullanacağını belirtti. Şimdilik bir çıkış tarihi ise verilmedi.