SK Hynix, 321 katmanlı NAND Flash belleklerde Samsung’u geçti

1 terabitlik 4D NAND çipler
2025’te çıkacak
Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

SK Hynix, 321 katmanlı NAND Flash belleklerde Samsung’u geçti — Dünyanın en büyük ikinci bellek üreticisi **SK Hynix**, Samsung’u geçerek **321 katmanlı** üç seviyeli hücre (TLC) **NAND flash** belleklerin seri üretimine başlayan ilk firma oldu. Bu önemli gelişme, yüksek kapasiteli depolama birimlerini daha uygun fiyatlarla piyasaya sunma potansiyeli taşıyor.

1 terabitlik 4D NAND çipler

SK Hynix, geçtiğimiz yıl duyurduğu sektörün ilk 238 katmanlı NAND çiplerinden sonra bu kez 321 katmanlı TLC NAND çiplerini tanıttı. Şirketin 1 terabit kapasiteli 4D NAND çipleri, hem performans hem de üretim verimliliği açısından öne çıkıyor. Bu yenilik, özellikle yapay zeka veri merkezleri ve enerji tasarrufu gerektiren performans odaklı uygulamalar için büyük bir avantaj sunuyor. 321 katmanlı NAND teknolojisi, 100 TB'ı aşan depolama kapasitelerine sahip SSD'lerin önünü açabilir.

Bu gelişmeler, 321 katmanlı NAND üretiminde bir önceki nesle göre yüzde 59’luk bir üretim verimliliği sağladı. Ayrıca yeni çiplerin, 238 katmanlı seleflerine kıyasla yüzde 12 daha hızlı veri aktarımı, yüzde 13 daha hızlı okuma performansı ve yüzde 10’dan fazla enerji tasarrufu sunduğu belirtiliyor.

2025’te çıkacak

SK Hynix, yeni 321 katmanlı NAND çiplerini 2025’in ilk yarısında müşterilerine göndermeyi planlıyor. İlk etapta yapay zeka odaklı veri merkezlerini hedefleyen şirket, ilerleyen dönemde ultra yüksek kapasiteli SSD'lerle oyun tutkunları, medya düzenleme uzmanları ve veri arşivcilerine hitap etmeyi amaçlıyor.

Samsung, bu gelişmelere kayıtsız kalmıyor. Şirket, 2026'ya kadar 400 katmanlı NAND çiplerini piyasaya sürmeyi hedefliyor. Ayrıca 2030 yılına kadar 1.000 katmanı aşacak bellek çipleriyle 200 TB’ın üzerinde kapasiteye sahip SSD'ler üretmeyi planlıyor. Japonya merkezli Kioxia da benzer bir yol haritası üzerinde çalışıyor.