Samsung, 2nm’de feci çuvalladı: Verim yüzde 10’lar seviyesinde
Samsung'un ABD, Teksas’taki yarı iletken tesisinin 4nm ve altı için kritik bir tesis olması bekleniyordu. Ancak 2nm süreci özelinde Samsung’un ciddi bir verimlilik sorunu yaşadığı bildiriliyor.
Samsung’un 3nm altı teknolojilerdeki verimlilik oranı şu anda yüzde 50'nin altında, özellikle Gate-All-Around (GAA) teknolojisinde bu oran yüzde 10 ila yüzde 20 arasında değişiyor. Buna karşılık, TSMC’nin ileri süreçlerdeki üretim verimliliği yüzde 60 ila yüzde 70 aralığında. Samsung’un pazar payı da bu performans farkıyla birlikte azalmaya devam ediyor. TSMC’nin küresel dökümhane pazarındaki payı yüzde 62.3 iken, Samsung’un payı yüzde 11.5’e kadar düştü.
Samsung’un yaşadığı gecikmelere rağmen TSMC, Arizona’daki yeni fabrikasında başarılı deneme üretimleri gerçekleştirdi. TSMC'nin ilk tesisinin 2025’in ilk yarısında üretime başlaması bekleniyor. Ayrıca, ikinci fabrika 2028 yılında yeni nesil nanosheet transistörlerle 2nm teknolojisi ile üretime geçecek. Bu, Samsung’un geri kalışını daha belirgin hale getiriyor.
{{body}}
{{/longBody}} {{^longBody}}{{body}}
{{/longBody}}