SK hynix, dünyanın ilk 12 katmanlı HBM3E bellek üretimine başladı

SK hynix, yeni HBM3E’yi bu yıl tedarik edecek
Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

SK hynix, dünyanın ilk 12 katmanlı HBM3E bellek üretimine başladı — Teknoloji dünyasındaki adımlarıyla dikkat çeken **SK hynix**, yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem alanındaki HBM liderliğini pekiştirmeye devam ediyor. Şirket, dünyanın ilk **12 katmanlı HBM3E** belleğinin **seri üretimine** başladığını duyurdu. Bu yeni nesil bellek, **36GB** kapasiteye sahip olmasıyla dikkat çekiyor ve mevcut HBM2 çözümlerinden çok daha yüksek bir performans vadediyor.

SK hynix, yeni HBM3E’yi bu yıl tedarik edecek

SK hynix, yıl sonuna kadar bu yeni nesil HBM3E belleklerin müşterilere teslim edileceğini belirtti. HBM3E’nin 12 katmanlı versiyonu, önceki 8 katmanlı ürünle aynı kalınlıkta olmasına rağmen, yüzde 50 daha fazla kapasite sunuyor. Bu da bellek çiplerinin yüzde 40 daha ince hale getirilmesi sayesinde mümkün oldu. TSV (Through Silicon Via) teknolojisinin bu başarıya ulaşmada kilit bir rol oynadığını belirtelim.

SK hynix’in yeni HBM3E ürünü, özellikle yapay zeka (AI) uygulamaları için hız, kapasite ve stabilite vadediyor. Şirket, bu belleklerin 9,6 Gbps hızında çalıştığını ve şu anda piyasadaki en hızlı bellek teknolojisi olduğunu söylüyor. Özellikle büyük dil modelleri (LLM) için tasarlanan bu ürün, tek bir GPU üzerinde dört HBM3E modülü ile çalıştırıldığında, 70 milyar parametreyi (Llama 3 70B) yalnızca bir saniye içinde 35 kez okuyabiliyor.

HBM3E, yalnızca performansıyla değil, aynı zamanda ısı dağılımı ve güvenilirliği ile de ön plana çıkıyor. SK hynix, bellek çiplerinin daha ince hale getirilmesinin getirdiği yapısal sorunları, gelişmiş MR-MUF (Minimum Reflow-Mass Underfill) teknolojisi ile çözdü. Bu süreç, bir önceki nesle kıyasla yüzde 10 daha yüksek ısı dağılımı performansı sunarken, aynı zamanda ürünün stabilitesini ve güvenilirliğini artırıyor.