Çin, 5nm sürecinde etkileyici enerji verimliliğine ulaştı

Çin’in en büyük yarı iletken üreticisi olan SMIC’in 5nm sürecinde etkileyici enerji verimliliğine ulaştığı bildirildi. Ancak bu sürecin seri üretime girip girmeyeceği belirsiz.

İşlemci

SMIC, 5nm'de ilerliyor
Yorumlar

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

Bildirimi Aç Bildirim Açık

Çin, 5nm sürecinde etkileyici enerji verimliliğine ulaştı — Çin'in en büyük yarı iletken üreticisi **SMIC**, mevcut **derin ultraviyole** (DUV) litografi ekipmanlarını kullanarak **5nm** sürecinde bir dönüm noktasına ulaşmış olabilir. Yeni gelen bilgilere göre firma, yeni süreç teknolojisinde oldukça **etkileyici enerji verimliliğine** ulaşmayı başardı.

SMIC halihazırda büyük oranda Huawei’ye çalışıyor. Firmanın mevcut Kirin 9000 ailesinin tamamı SMIC tarafından ikinci nesil 7nm süreciyle üretiliyor. Bu süreç spesifik olarak Kirin 9000S ve Kirin 9010 için kullanılıyor. Ancak bu yongalar üst seviye rakiplerinin oldukça gerisinde. Hatta zaten güçlü olmayan Google'ın Tensor G3’ü bile hem performansta hem de verimlilikte daha iyi seviyede.

SMIC, 5nm'de ilerliyor

SMIC, en azından enerji verimliliği konusunda aradaki farkı 5nm süreciyle kapatabilir. Ancak bu teknolojinin bir sonraki yongada kullanılıp kullanılmayacağı soru işareti. Huawei, Mate 70 serisiyle birlikte yeni Kirin yonga setine geçiş yapacak. Ancak mevcut bilgiler bu yonganın 5nm sürecinde üretilmeyeceği yönünde.

SMIC’in işi elbette kolay değil zira ABD yaptırımları nedeniyle son teknoloji EUV makinelerini tedarik edemiyor. Bunun yerine, dökümhane işi yapmak için eski DUV ekipmanına güvenmek zorundalar. Bu makineler için üretici ASML’den veya Japon firmalardan servis desteği de alamıyorlar. DUV ekipmanlarıyla da 5nm üretimi yapmak mümkün ancak EUV’ye göre süreç daha maliyetli. SMIC’in deneme yanılma yoluyla en ideal verime ulaşması gerekiyor. Aksi takdirde maliyetler ve verim, Huaewi için çok pahalı olabilir.

Tüm bu nedenlerden dolayı Mate 70 serisiyle birlikte gelecek yeni Kirin yongasının yine 7nm’de kalacağı ancak bazı iyileştirmeler ile üçüncü nesle yükseltileceği söyleniyor. Böylelikle yeni yonga Kirin 9010'dan daha yüksek bir transistör yoğunluğuna sahip olabilir.