Intel’in 18A üretim süreci, Intel 3’e fark atıyor

Intel'in 18A süreci sektörde açık ara en çok beklenen süreçlerden biri. Zira Intel 18A, sahip olduğu teknolojilerin de desteğiyle Intel 3 üretim sürecine performansta fark atıyor.

18A ile gelen teknolojik atılımlar: PowerVia ve BSPDN
Çok yakında sahnede
Yorumlar

İşlemci

Metin Akpınar

Teknoloji Editörü

Bildirimi Aç Bildirim Açık

Intel’in 18A üretim süreci, Intel 3’e fark atıyor — **Intel**, uzun süredir beklenen **18A** üretim süreciyle yarı iletken dünyasında yeniden liderliği hedefliyor. Şirketin son yıllarda zor zamanlardan geçen dökümhane (foundry) bölümü, CEO Pat Gelsinger liderliğinde ciddi bir yeniden yapılanma sürecine girmişti. Bu değişimin en somut örneklerinden biri ise Intel 18A üretim süreci oldu. 2025 VLSI Sempozyumu'nda tanıtılan bu yeni nesil üretim teknolojisi, Intel’in şimdiye kadar geliştirdiği **en yetenekli üretim nodu** olarak gösteriliyor.

18A ile gelen teknolojik atılımlar: PowerVia ve BSPDN

Intel’in 18A üretim süreci, Intel 3’e kıyasla yüzde 30’un üzerinde yoğunluk artışı sağlıyor. Bu başarının arkasında ise PowerVia ve BSPDN (Backside Power Delivery Network) gibi devrimsel teknolojiler yer alıyor. Bu iki yenilik sayesinde transistörler daha sık paketlenebiliyor ve çipin ön yüzeyindeki alan daha verimli kullanılabiliyor. Bu durum, özellikle yüksek yoğunluklu tasarımlar için önemli avantajlar sunuyor.

Yapılan PPA (Performans, Güç, Alan) karşılaştırmalarına göre, 18A süreci standart bir Arm çekirdek alt bloğunda yüzde 25 daha yüksek hız ve yüzde 36 daha düşük güç tüketimi sağlıyor (1.1V çalışma gerilimiyle). Bu da hem performans hem enerji verimliliği açısından ciddi bir sıçrama anlamına geliyor.

VLSI Sempozyumu’nda paylaşılan bilgiler 18A sürecinin yüksek performans altında dahi güç iletiminde kararlılığı koruyabildiğini ortaya koyuyor. PowerVia teknolojisi sayesinde güç, transistörlere arka yüzeyden doğrudan ulaştırılabiliyor. Bu da ön yüzdeki karmaşık bağlantıların azalmasına ve hücrelerin daha sıkı yerleştirilebilmesine olanak tanıyor.

Buna ek olarak, hücre kütüphanesi karşılaştırmaları da 18A sürecinin, hücre yoğunluğu ve alan verimliliği bakımından rakiplerini yakaladığını hatta bazı alanlarda geçtiğini ortaya koyuyor. Özellikle TSMC'nin N2 süreciyle kıyaslandığında, Intel’in SRAM yoğunluğu açısından eşit seviyeye ulaştığı belirtiliyor.