Teknoloji devi Samsung NAND ve DRAM üretiminin yanı sıra yarı iletken konusunda da iddialı. Firma 7 nm’yi konuştuğumuz şu günlerde 3 nm için tarih verdi.
Geçtiğimiz aylarda GAAFET teknolojisini duyuran firma bugün yaptığı duyuruyla GAAFET türü olan MCBFET tekniğini kullanacağı 3 nm sürecini detaylandırdı. Transistörlerin üst üste dizildiği GAAFET düşük nm’lerde voltaj sızmasını önlemesi nedeniyle transistör kanalları üzerinde daha etkili kontrol imkanı sunuyor.
%30 performans artışı
Yarıiletken üreticisi MCBFET’le birlikte bu artıların üzerine güç tüketiminde %50’luk iyileşme ve %30 performans artışı da eklemiş. Ek olarak MCBFET’in tasarımsal avantajı sayesinde aynı yonga %45 daha az alan kaplayacak.
Kıyaslamada kullanılan üretim nodu belirtilmese de Samsung’un kendi 7 nm FinFET’inden söz ediyor olmamız olası. Son olarak yeni üretim yöntemi üreticilerin yonganın düşük güç tüketimi ya da performans odaklı olması doğrultusunda özelleştirmesini kolaylaştırdığı da sıralanan avantajlar arasında.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
1 yaz kısa süre kullanım için ideal,
Hawli
Çok eğlenceli görünüyor :))
Baya eğlenceli görünüyor :)
Eğlenceli görünüyor
mars için birebir :)
Son derece farklı bir alet :D
çöp
türkiyede satılmıyor mu daha?
@ccguven evine giren surilere yemek olmuş ilk işleri yemek değilmiş...
Yine mi piramit ( sürekli gördüğüm masonik sembolleri vurguluyorum, istatistikleri bilelim, yerlileriyle iş yapmayalım )
Yurtdışı fiyatı bile 9k olunca insanın hevesi kaçıyor
Benim oğlana alayım bi tane
Efsane Türkiye’ye gelse alırım..
O ışık efektleri sadece yanlarda değil üstte de olmalıydı. Böylece tabancayı kullanan, kafasını yana eğmek zorunda kalıp, fıtık olmaz.
Mukemmel bir silah acaba ne kadar hızlı atıyor. [resim] [resim]
Fiyat makul olsa efsane olur gerçekten ya.
Vay bee, bu cihaz xiaomi çıktı ben de diyordum kim üretmiş..
hocam 4x daha iyi direk hs attirir
Über