İnce Satırlar
Liste Modu
Döşeme Modu
Sade Döşeme Modu
Blog Modu
Teknoloji devi Samsung NAND ve DRAM üretiminin yanı sıra yarı iletken konusunda da iddialı. Firma 7 nm’yi konuştuğumuz şu günlerde 3 nm için tarih verdi.
Geçtiğimiz aylarda GAAFET teknolojisini duyuran firma bugün yaptığı duyuruyla GAAFET türü olan MCBFET tekniğini kullanacağı 3 nm sürecini detaylandırdı. Transistörlerin üst üste dizildiği GAAFET düşük nm’lerde voltaj sızmasını önlemesi nedeniyle transistör kanalları üzerinde daha etkili kontrol imkanı sunuyor.
%30 performans artışı
Yarıiletken üreticisi MCBFET’le birlikte bu artıların üzerine güç tüketiminde %50’luk iyileşme ve %30 performans artışı da eklemiş. Ek olarak MCBFET’in tasarımsal avantajı sayesinde aynı yonga %45 daha az alan kaplayacak.
Kıyaslamada kullanılan üretim nodu belirtilmese de Samsung’un kendi 7 nm FinFET’inden söz ediyor olmamız olası. Son olarak yeni üretim yöntemi üreticilerin yonganın düşük güç tüketimi ya da performans odaklı olması doğrultusunda özelleştirmesini kolaylaştırdığı da sıralanan avantajlar arasında.
Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:
Bana çok korkutucu geliyor bunlar.