TSMC’nin yeni üretim bantları ortaya çıktı

İlk EUV tabanlı bant
HPC alanı için ekstra performans getirisi
3 nm'de FinFET'e devam
Yorumlar

Metehan Göktaş

Yazar

TSMC’nin yeni üretim bantları ortaya çıktı

Yeni üretim tekniği denildiği zaman son dönemde gözler TSMC’ye çevrilir oldu. Piyasaya yenilikçi ve iddialı çözümler sunan firmanın yeni üretim bantları açıklandı. Görünüşe göre TSMC’nin elinde bildiğimiz 7 nm gibi tekniklerden başka özelleşmiş bantlar da var.

Şimdiye kadar TSMC’nin üretim tekniklerinden N7, N7+ ve N5’i biliyorduk. 7 nm, 7nm+ ve 5 nm’ye tekabül eden bu terimlere yenileri eklendi. Bunlardan ilki N7P ile başlayalım. N7P, N7+ ile karıştırılmasın zira mevcut 7 nm bantını temel alan bir nod olarak görünüyor. N7’nin optimize edilmiş ve DUV tabanlı hali olan N7P’de %7 performans artışı sağlanırken %10 daha az güç tüketimi elde edilebilecek.

İlk EUV tabanlı bant

N7+ ise EUV tabanlı ilk süreç olup N7P’nin üzerinde kaydadeğer gelişme katedilecek bir nod olarak karşımıza çıkıyor. N6’da ise TSMC tam manasıyla EUV tekniğine yer verecek. Üstelik N6’nın tasarım kuralları ve IP itibariyle N7 ile uyumlu olması sayesinde müşterilerin geçişi kolaylaşacak. Ekstra %18’lik yoğunluk avantajı sunacak bantlardan çıkacak ilk yongaların gelecek yılın başlarında görücüye çıkması bekleniyor. Hacimli üretime geçiş için 2020 sonları işaret edilmekte.

HPC alanı için ekstra performans getirisi

N5 üretim nodu ise N7’den sonraki asıl adım olarak görülüyor. Çoğu katmanda EUV’a yer verilecek adımda üretim geliri de N7’ye kıyasla daha hızlı bir şekilde yükselecek. N5’in faydalarına baktığımızda N7’ye göre %15 performans artışı ve %30 daha az enerji tüketimi listeleniyor. HPC ve mobil segmentin hedef alındığı üretim tekniği, HPC klasmanı için N7’nin üzerine yer yer %25’e varan performans artışı sağlayacak.

N5P’de N7 ile N7P misali bir durum söz konusu. FEOL ve MOL optimizasyonları sayesinde N5P’den geçecek yongalar N5’e göre %7 daha hızlı ve %15 enerji tasarruflu olacak. Her ne kadar çıkış tarihi belirtilmese de 2021’nin başları öngörülmekte.

3 nm'de FinFET'e devam

Son olarak N3 adımının performans/güç tüketimi başlıklarına dair pek bir detay açıklanmış değil. Bununla birlikte 3 nm çalışmalarının yolunda gittiğini açıklayan TSMC ayrıca hali hazırdaki FinFET’in bir aşama daha idare edebileceğini düşünüyor. Intel’in de bu fikirde uzlaştığı düşünüldüğünde GAA modeline geçişin bir sonraki aşamaya sarktığını söyleyebiliriz.